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HUF76633S3ST_F085

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HUF76633S3ST_F085

Pour Référence Seulement

Référence HUF76633S3ST_F085
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 100V 39A TO-263AB
Fiche technique

HUF76633S3ST_F085 Fiche technique

paquet TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En stock 4 912 piece(s)
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Spécifications HUF76633S3ST_F085

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SériesAutomotive, AEC-Q101, UltraFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C39A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs63nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1810pF @ 25V
Vgs (Max)±16V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)183W (Tj)
Rds sur (max) @ id, vgs35 mOhm @ 39A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD2PAK (TO-263AB)
Paquet / casTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

HUF76633S3ST_F085 fiche technique

HUF76633S3ST_F085 Packaging

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HUF76633S3ST_F085 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that HUF76633S3ST_F085 is from the original manufacturer or authorized agents?
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ON Semiconductor

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Fairchild Semiconductor Corporation

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Fairchild Semiconductor Corporation

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