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HUF76419S3ST-F085

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HUF76419S3ST-F085

Pour Référence Seulement

Référence HUF76419S3ST-F085
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications HUF76419S3ST-F085

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesPowerTrench®
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C29A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs28.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds870 pF @ 25 V
Vgs (Max)±16V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)100W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs35mOhm @ 29A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-263 (D2PAK)
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

HUF76419S3ST-F085 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

HUF76419S3ST-F085 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that HUF76419S3ST-F085 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the HUF76419S3ST-F085 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of HUF76419S3ST-F085?
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