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HUF76113DK8T

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Référence HUF76113DK8T
Fabricant Fairchild Semiconductor
Description MOSFET 2N-CH 30V 6A US8
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications HUF76113DK8T

FabricantFairchild Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
SériesUltraFET®
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C6A (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs32mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs19.2nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds605pF @ 25V
Puissance - Max2.5W (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Package de périphérique fournisseurUS8

HUF76113DK8T Packaging

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Sealing
Packing
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HUF76113DK8T FAQ

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    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
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  • 6. What is the process for return or replacement of HUF76113DK8T?
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