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HUF75645S3ST_NL

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Pour Référence Seulement

Référence HUF75645S3ST_NL
Fabricant Fairchild Semiconductor
Description N-CHANNEL POWER MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications HUF75645S3ST_NL

FabricantFairchild Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesUltraFET™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C75A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs238 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3790 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)310W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs14mOhm @ 75A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD2PAK
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Packing
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