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HUF75307D3ST_NL

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Pour Référence Seulement

Référence HUF75307D3ST_NL
Fabricant Fairchild Semiconductor
Description N-CHANNEL POWER MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications HUF75307D3ST_NL

FabricantFairchild Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesUltraFET™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)55 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C15A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds250 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)45W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs90mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-252 (DPAK)
Paquet / casTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

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Packing
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