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HN4D02JU-TE85L-F

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Pour Référence Seulement

Référence HN4D02JU-TE85L-F
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description DIODE ARRAY GP 80V 100MA USV
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications HN4D02JU-TE85L-F

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Configuration de diode1 Pair Common Cathode
Type de diodeStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)80 V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)100mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.2 V @ 100 mA
La vitesseSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inversé (trr)1.6 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 80 V
Température de fonctionnement - Jonction150°C (Max)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Package de périphérique fournisseurUSV

HN4D02JU-TE85L-F Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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HN4D02JU-TE85L-F FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of HN4D02JU-TE85L-F?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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