Name: HN4B102J-TE85L-F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN4B102J(TE85L,F)
Availability: InStock
Rating: 5 (79 reviews)

HN4B102J-TE85L-F

Pour Référence Seulement

Référence	HN4B102J-TE85L-F
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Description	PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	8 646 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 31 - janv. 5 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications HN4B102J-TE85L-F

Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de transistor	1 NPN, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	1.8A, 2A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)	30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 200mA, 2V
Puissance - Max	750mW
Fréquence - Transition	-
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SC-74A, SOT-753
Package de périphérique fournisseur	SMV

HN4B102J-TE85L-F Packaging

HN4B102J-TE85L-F FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of HN4B102J-TE85L-F.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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