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HN1C03FU-B-LF

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HN1C03FU-B-LF

Pour Référence Seulement

Référence HN1C03FU-B-LF
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 16 884 piece(s)
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Spécifications HN1C03FU-B-LF

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistor2 NPN (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)300mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce350 @ 4mA, 2V
Puissance - Max200mW
Fréquence - Transition30MHz
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseurUS6

HN1C03FU-B-LF Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

HN1C03FU-B-LF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that HN1C03FU-B-LF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the HN1C03FU-B-LF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including HN1C03FU-B-LF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of HN1C03FU-B-LF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the HN1C03FU-B-LF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of HN1C03FU-B-LF?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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