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HN1B04FE-GR-LXHF

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HN1B04FE-GR-LXHF

Pour Référence Seulement

Référence HN1B04FE-GR-LXHF
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 7 059 piece(s)
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Spécifications HN1B04FE-GR-LXHF

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistor1 NPN, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)150mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max100mW
Fréquence - Transition80MHz
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseurES6

HN1B04FE-GR-LXHF Packaging

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Sealing
Packing
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HN1B04FE-GR-LXHF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that HN1B04FE-GR-LXHF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the HN1B04FE-GR-LXHF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including HN1B04FE-GR-LXHF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of HN1B04FE-GR-LXHF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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