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GT50JR22-STA1-E-S

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Pour Référence Seulement

Référence GT50JR22-STA1-E-S
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 39 piece(s)
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Spécifications GT50JR22-STA1-E-S

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)600 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)50 A
Courant - Collecteur Pulsé (Icm)100 A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 50A
Puissance - Max230 W
Changer d'énergie-
Type d'entréeStandard
Charge de porte-
Td (on / off) à 25 ° C-
Condition de test-
Temps de récupération inversé (trr)-
Température de fonctionnement175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-3P-3, SC-65-3
Package de périphérique fournisseurTO-3P(N)

GT50JR22-STA1-E-S Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

GT50JR22-STA1-E-S FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GT50JR22-STA1-E-S is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GT50JR22-STA1-E-S. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GT50JR22-STA1-E-S on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GT50JR22-STA1-E-S products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the GT50JR22-STA1-E-S price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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