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GT30N135SRA-S1E

GT30N135SRA-S1E

GT30N135SRA-S1E

Pour Référence Seulement

Référence GT30N135SRA-S1E
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description IGBT 1350V 60A TO247
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 3 piece(s)
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Spécifications GT30N135SRA-S1E

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1350 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)60 A
Courant - Collecteur Pulsé (Icm)120 A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 60A
Puissance - Max348 W
Changer d'énergie-, 1.3mJ (off)
Type d'entréeStandard
Charge de porte270 nC
Td (on / off) à 25 ° C-
Condition de test300V, 60A, 39Ohm, 15V
Temps de récupération inversé (trr)-
Température de fonctionnement175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-247-3
Package de périphérique fournisseurTO-247

GT30N135SRA-S1E Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

GT30N135SRA-S1E FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GT30N135SRA-S1E is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the GT30N135SRA-S1E price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of GT30N135SRA-S1E?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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PIC18F2550-I/SO

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67997-210HLF

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