Name: GT30J65MRB-S1E
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: GT30J65MRB,S1E
Availability: InStock
Rating: 5 (122 reviews)

GT30J65MRB-S1E

Pour Référence Seulement

Référence	GT30J65MRB-S1E
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Description	650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	237 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 30 - janv. 4 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications GT30J65MRB-S1E

Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type IGBT	-
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)	650 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	60 A
Courant - Collecteur Pulsé (Icm)	-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.8V @ 15V, 30A
Puissance - Max	200 W
Changer d'énergie	1.4mJ (on), 220µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	70 nC
Td (on / off) à 25 ° C	75ns/400ns
Condition de test	400V, 15A, 56Ohm, 15V
Temps de récupération inversé (trr)	200 ns
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-3P-3, SC-65-3
Package de périphérique fournisseur	TO-3P(N)

GT30J65MRB-S1E Packaging

GT30J65MRB-S1E FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the GT30J65MRB-S1E we delivered, we will accept the replacement or return of the GT30J65MRB-S1E only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of GT30J65MRB-S1E.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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