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GT130N10M

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Pour Référence Seulement

Référence GT130N10M
Fabricant Goford Semiconductor
Description MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 2 274 piece(s)
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Spécifications GT130N10M

FabricantGoford Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C60A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1222 pF @ 50 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)73.5W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs12mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-263
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

GT130N10M Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

GT130N10M FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GT130N10M is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the GT130N10M price and inventory displayed accurate?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of GT130N10M?
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