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GS1008HE_R1_00001

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Pour Référence Seulement

Référence GS1008HE_R1_00001
Fabricant Panjit International Inc.
Description DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123HE
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications GS1008HE_R1_00001

FabricantPanjit International Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de diodeStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)800 V
Courant - Rectifié moyen (Io)1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.1 V @ 1 A
La vitesseStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)-
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 800 V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOD-123H
Package de périphérique fournisseurSOD-123HE
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 150°C

GS1008HE_R1_00001 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

GS1008HE_R1_00001 FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GS1008HE_R1_00001. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GS1008HE_R1_00001 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GS1008HE_R1_00001 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of GS1008HE_R1_00001?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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