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GE2X10MPS06D

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Pour Référence Seulement

Référence GE2X10MPS06D
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Description DIODE ARR SIC 650V 23A TO247-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications GE2X10MPS06D

FabricantGeneSiC Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Matrices
paquet-
ECAD
SériesSiC Schottky MPS™
Configuration de diode1 Pair Common Cathode
Type de diodeSiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)23A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si-
La vitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)-
Current - Reverse Leakage @ Vr-
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-247-3
Package de périphérique fournisseurTO-247-3

GE2X10MPS06D Packaging

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Sealing
Packing
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GE2X10MPS06D FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GE2X10MPS06D is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GE2X10MPS06D. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GE2X10MPS06D on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GE2X10MPS06D products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the GE2X10MPS06D price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of GE2X10MPS06D?
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