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GD30MPS12H

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Pour Référence Seulement

Référence GD30MPS12H
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Description DIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247-2
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 3 387 piece(s)
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Spécifications GD30MPS12H

FabricantGeneSiC Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet-
ECAD
SériesSiC Schottky MPS™
Type de diodeSiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Courant - Rectifié moyen (Io)55A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.8 V @ 30 A
La vitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)-
Current - Reverse Leakage @ Vr20 µA @ 1200 V
Capacité @ Vr, F1101pF @ 1V, 1MHz
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-247-2
Package de périphérique fournisseurTO-247-2
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C

GD30MPS12H Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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GD30MPS12H FAQ

  • 1. How to order GD30MPS12H on Heisener?
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  • 2. How does Heisener guarantee that GD30MPS12H is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GD30MPS12H. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GD30MPS12H on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GD30MPS12H products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the GD30MPS12H price and inventory displayed accurate?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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