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GD2X10MPS12D

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Pour Référence Seulement

Référence GD2X10MPS12D
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Description DIODE ARR SIC 1200V 25A TO247-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications GD2X10MPS12D

FabricantGeneSiC Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Matrices
paquet-
ECAD
SériesMPS™
Configuration de diode1 Pair Common Cathode
Type de diodeSiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)25A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.8 V @ 10 A
La vitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 1.2 kV
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-247-3
Package de périphérique fournisseurTO-247-3

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Sealing
Packing
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GD2X10MPS12D FAQ

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