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GD2X100MPS06N

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Pour Référence Seulement

Référence GD2X100MPS06N
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Description DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 390 piece(s)
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Spécifications GD2X100MPS06N

FabricantGeneSiC Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Matrices
paquet-
ECAD
SériesSiC Schottky MPS™
Configuration de diode2 Independent
Type de diodeSiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)108A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.8 V @ 100 A
La vitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 650 V
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casSOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseurSOT-227

GD2X100MPS06N Packaging

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Sealing
Packing
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GD2X100MPS06N FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of GD2X100MPS06N?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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