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GD25WD40EK6IGR

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Référence GD25WD40EK6IGR
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Description IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8USON
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications GD25WD40EK6IGR

FabricantGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
CatégorieCircuits intégrés (CI) - Mémoire
paquet-
ECAD
SériesGD25WD
Type de mémoireNon-Volatile
Format de mémoireFLASH
La technologieFLASH - NOR (SLC)
Taille mémoire4Mbit
Interface de mémoireSPI - Dual I/O
Fréquence d'horloge104 MHz
Écrire le temps de cycle - mot, page100µs, 6ms
Temps d'accès6 ns
Tension - Alimentation1.65V ~ 3.6V
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-XFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur8-USON (1.5x1.5)

GD25WD40EK6IGR Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

GD25WD40EK6IGR FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of GD25WD40EK6IGR?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of GD25WD40EK6IGR.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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