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GD25B512MEYJGR

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Référence GD25B512MEYJGR
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Description IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications GD25B512MEYJGR

FabricantGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
CatégorieCircuits intégrés (CI) - Mémoire
paquet-
ECAD
SériesGD25B
Type de mémoireNon-Volatile
Format de mémoireFLASH
La technologieFLASH - NOR (SLC)
Taille mémoire512Mbit
Interface de mémoireSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Fréquence d'horloge133 MHz
Écrire le temps de cycle - mot, page-
Temps d'accès-
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement-40°C ~ 105°C (TA)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-WDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur8-WSON (6x8)

GD25B512MEYJGR Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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GD25B512MEYJGR FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of GD25B512MEYJGR?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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