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GD25B512MEF2RY

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Pour Référence Seulement

Référence GD25B512MEF2RY
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Description IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOP
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications GD25B512MEF2RY

FabricantGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
CatégorieCircuits intégrés (CI) - Mémoire
paquet-
ECAD
SériesGD25B
Type de mémoireNon-Volatile
Format de mémoireFLASH
La technologieFLASH - NOR (SLC)
Taille mémoire512Mbit
Interface de mémoireSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Fréquence d'horloge133 MHz
Écrire le temps de cycle - mot, page-
Temps d'accès-
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement-40°C ~ 105°C (TA)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Package de périphérique fournisseur16-SOP

GD25B512MEF2RY Packaging

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Sealing
Packing
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GD25B512MEF2RY FAQ

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