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GCMX040A120B3H1P

GCMX040A120B3H1P

GCMX040A120B3H1P

Pour Référence Seulement

Référence GCMX040A120B3H1P
Fabricant SemiQ
Description SIC 1200V 40M MOSFET FULL-BRIDGE
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications GCMX040A120B3H1P

FabricantSemiQ
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETSilicon Carbide (SiC)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C53A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs52mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 10mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs125nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3200pF @ 800V
Puissance - Max208W (Tc)
Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseur-

GCMX040A120B3H1P Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

GCMX040A120B3H1P FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GCMX040A120B3H1P is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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