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GCMX020B120S1-E1

GCMX020B120S1-E1

GCMX020B120S1-E1

Pour Référence Seulement

Référence GCMX020B120S1-E1
Fabricant SemiQ
Description SIC 1200V 20M MOSFET SOT-227
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications GCMX020B120S1-E1

FabricantSemiQ
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C113A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)20V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 20mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs216 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds5349 pF @ 1000 V
Vgs (Max)+25V, -10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)395W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs28mOhm @ 50A, 20V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-227
Paquet / casSOT-227-4, miniBLOC

GCMX020B120S1-E1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

GCMX020B120S1-E1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GCMX020B120S1-E1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the GCMX020B120S1-E1 price and inventory displayed accurate?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of GCMX020B120S1-E1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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