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GC50MPS12-247

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Pour Référence Seulement

Référence GC50MPS12-247
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Description DIODE SIL CARB 1.2KV 212A TO247
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications GC50MPS12-247

FabricantGeneSiC Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet-
ECAD
SériesSiC Schottky MPS™
Type de diodeSiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Courant - Rectifié moyen (Io)212A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.8 V @ 50 A
La vitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 1200 V
Capacité @ Vr, F3263pF @ 1V, 1MHz
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-247-2
Package de périphérique fournisseurTO-247-2
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C

GC50MPS12-247 Packaging

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Sealing
Packing
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GC50MPS12-247 FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GC50MPS12-247. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GC50MPS12-247 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GC50MPS12-247 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of GC50MPS12-247?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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