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GC2X10MPS12-247

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GC2X10MPS12-247

Pour Référence Seulement

Référence GC2X10MPS12-247
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Description DIODE ARR SIC 1200V 50A TO247-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications GC2X10MPS12-247

FabricantGeneSiC Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Matrices
paquet-
ECAD
SériesSiC Schottky MPS™
Configuration de diode1 Pair Common Cathode
Type de diodeSiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)50A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.8 V @ 10 A
La vitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 1200 V
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-247-3
Package de périphérique fournisseurTO-247-3

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Sealing
Packing
Insepction

GC2X10MPS12-247 FAQ

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