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GB2X100MPS12-227

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Pour Référence Seulement

Référence GB2X100MPS12-227
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Description DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 6 piece(s)
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Spécifications GB2X100MPS12-227

FabricantGeneSiC Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Matrices
paquet-
ECAD
SériesSiC Schottky MPS™
Configuration de diode2 Independent
Type de diodeSiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)185A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.8 V @ 100 A
La vitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr80 µA @ 1200 V
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casSOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseurSOT-227

GB2X100MPS12-227 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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GB2X100MPS12-227 FAQ

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