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GB05MPS17-247

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Pour Référence Seulement

Référence GB05MPS17-247
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Description DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications GB05MPS17-247

FabricantGeneSiC Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet-
ECAD
SériesSiC Schottky MPS™
Type de diodeSiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1700 V
Courant - Rectifié moyen (Io)25A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.8 V @ 5 A
La vitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr6 µA @ 1700 V
Capacité @ Vr, F334pF @ 1V, 1MHz
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-247-2
Package de périphérique fournisseurTO-247-2
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C

GB05MPS17-247 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

GB05MPS17-247 FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of GB05MPS17-247?
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