Name: GAN190-650FBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: GAN190-650FBEZ
Availability: InStock
Rating: 5 (112 reviews)

GAN190-650FBEZ

Pour Référence Seulement

Référence	GAN190-650FBEZ
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Description	650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	5 913 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 18 - nov. 23 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications GAN190-650FBEZ

Fabricant	Nexperia USA Inc.
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11.5A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 12.2mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.8 nC @ 6 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	96 pF @ 400 V
Vgs (Max)	+7V, -1.4V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	125W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	190mOhm @ 3.9A, 6V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount, Wettable Flank
Package de périphérique fournisseur	DFN5060-5
Paquet / cas	8-PowerVDFN

GAN190-650FBEZ Packaging

GAN190-650FBEZ FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of GAN190-650FBEZ.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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