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GA1L4M-T2-A

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Pour Référence Seulement

Référence GA1L4M-T2-A
Fabricant Renesas Electronics Corporation
Description TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications GA1L4M-T2-A

FabricantRenesas Electronics Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorNPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)50 V
Resistor - Base (R1) (Ohms)47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47 kOhms
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce95 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic200mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Fréquence - Transition-
Puissance - Max150 mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseurSC-70

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GA1L4M-T2-A FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GA1L4M-T2-A. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GA1L4M-T2-A on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GA1L4M-T2-A products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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