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GA03JT12-247

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Pour Référence Seulement

Référence GA03JT12-247
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Description TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
Fiche technique
paquet TO-247-3
ECAD
En stock 7 620 piece(s)
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Spécifications GA03JT12-247

FabricantGeneSiC Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-247-3
ECAD
Séries-
Type de FET-
La technologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C3A (Tc) (95°C)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)-
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)15W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs460 mOhm @ 3A
Température de fonctionnement175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247AB
Paquet / casTO-247-3

GA03JT12-247 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

GA03JT12-247 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GA03JT12-247 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GA03JT12-247. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GA03JT12-247 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GA03JT12-247 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of GA03JT12-247?
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GA03JT12-247 Produits Connexes

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Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor1200V470m? TO-247-3

RoHS: Compliant
0
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Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor1200V470m? TO-247-3

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