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G3R160MT17J

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Référence G3R160MT17J
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Description SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications G3R160MT17J

FabricantGeneSiC Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesG3R™, LoRing™
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)1700 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C18A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)15V
Vgs (th) (Max) @ Id2.7V @ 5mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds854 pF @ 1000 V
Vgs (Max)±15V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)187W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs208mOhm @ 12A, 15V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-263-7
Paquet / casTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

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Packing
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G3R160MT17J FAQ

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LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

IC VREF SERIES 2.048V 6DFN

B5B-PH-K-S(LF)(SN)

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