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FZ1200R33KF2CNOSA4

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Pour Référence Seulement

Référence FZ1200R33KF2CNOSA4
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MODULE 3300V 2000A
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FZ1200R33KF2CNOSA4

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationFull Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)3300 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)2000 A
Puissance - Max14500 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4.25V @ 15V, 1.2kA
Current - Collector Cutoff (Max)12 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce150 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement-40°C ~ 125°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseur-

FZ1200R33KF2CNOSA4 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

FZ1200R33KF2CNOSA4 FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of FZ1200R33KF2CNOSA4?
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    (1)Inform us within 90 days
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