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FT150R12KE3GB4BDLA1

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FT150R12KE3GB4BDLA1

Pour Référence Seulement

Référence FT150R12KE3GB4BDLA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 200A 700W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FT150R12KE3GB4BDLA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
Configuration3 Independent
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)200 A
Puissance - Max700 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max)5 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce10.5 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement-40°C ~ 125°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

FT150R12KE3GB4BDLA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

FT150R12KE3GB4BDLA1 FAQ

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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FT150R12KE3GB4BDLA1?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of FT150R12KE3GB4BDLA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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