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FS75R12KE3GBOSA1

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FS75R12KE3GBOSA1

Pour Référence Seulement

Référence FS75R12KE3GBOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 100A 355W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FS75R12KE3GBOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationThree Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100 A
Puissance - Max355 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 75A
Current - Collector Cutoff (Max)5 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce5.3 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCYes
Température de fonctionnement-40°C ~ 125°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

FS75R12KE3GBOSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

FS75R12KE3GBOSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FS75R12KE3GBOSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FS75R12KE3GBOSA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FS75R12KE3GBOSA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FS75R12KE3GBOSA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FS75R12KE3GBOSA1 price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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