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FS75R12KE3B9BOSA1

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Pour Référence Seulement

Référence FS75R12KE3B9BOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 105A 355W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FS75R12KE3B9BOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBTTrench Field Stop
ConfigurationThree Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)105 A
Puissance - Max355 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 75A
Current - Collector Cutoff (Max)1 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce5.3 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement-40°C ~ 125°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

FS75R12KE3B9BOSA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

FS75R12KE3B9BOSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FS75R12KE3B9BOSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FS75R12KE3B9BOSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FS75R12KE3B9BOSA1?
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S202T01

RELAY SSR 240VAC 2A TRIAC 4-SIP

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