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FQT1N80TF-WS

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Pour Référence Seulement

Référence FQT1N80TF-WS
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FQT1N80TF-WS

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesQFET®
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)800 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C200mA (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs7.2 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds195 pF @ 25 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.1W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs20Ohm @ 100mA, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-223-3
Paquet / casTO-261-3

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Packing
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FQT1N80TF-WS FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQT1N80TF-WS is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FQT1N80TF-WS. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FQT1N80TF-WS on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FQT1N80TF-WS products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FQT1N80TF-WS price and inventory displayed accurate?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of FQT1N80TF-WS?
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