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FQP6N60C_F080

FQP6N60C_F080

FQP6N60C_F080

Pour Référence Seulement

Référence FQP6N60C_F080
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
Fiche technique

FQP6N60C_F080 Fiche technique

paquet TO-220-3
ECAD
En stock 4 816 piece(s)
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Spécifications FQP6N60C_F080

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-220-3
ECAD
SériesQFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C5.5A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds810pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)125W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs2 Ohm @ 2.75A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220-3
Paquet / casTO-220-3

FQP6N60C_F080 fiche technique

FQP6N60C_F080 Packaging

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Sealing
Packing
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FQP6N60C_F080 FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of FQP6N60C_F080?
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