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FQP50N06L-EPKE0003

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Pour Référence Seulement

Référence FQP50N06L-EPKE0003
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FQP50N06L-EPKE0003

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesQFET®
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C52.4A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1630 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)121W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs21mOhm @ 26.2A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220-3
Paquet / casTO-220-3

FQP50N06L-EPKE0003 Packaging

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Sealing
Packing
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FQP50N06L-EPKE0003 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQP50N06L-EPKE0003 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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