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FQD5N60CTM_F080

FQD5N60CTM_F080

FQD5N60CTM_F080

Pour Référence Seulement

Référence FQD5N60CTM_F080
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Fiche technique

FQD5N60CTM_F080 Fiche technique

paquet TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En stock 7 408 piece(s)
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Spécifications FQD5N60CTM_F080

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SériesQFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C2.8A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds670pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.5W (Ta), 49W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs2.5 Ohm @ 1.4A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD-Pak
Paquet / casTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQD5N60CTM_F080 fiche technique

FQD5N60CTM_F080 Packaging

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Packing
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FQD5N60CTM_F080 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQD5N60CTM_F080 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FQD5N60CTM_F080?
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MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

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MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

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Fairchild Semiconductor Corporation

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