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FQD19N10TM_F080

FQD19N10TM_F080

FQD19N10TM_F080

Pour Référence Seulement

Référence FQD19N10TM_F080
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Fiche technique

FQD19N10TM_F080 Fiche technique

paquet TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En stock 3 440 piece(s)
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Spécifications FQD19N10TM_F080

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SériesQFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C15.6A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds780pF @ 25V
Vgs (Max)±25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs100 mOhm @ 7.8A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD-Pak
Paquet / casTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQD19N10TM_F080 fiche technique

FQD19N10TM_F080 Packaging

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Packing
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FQD19N10TM_F080 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQD19N10TM_F080 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FQD19N10TM_F080 price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
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