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FQD12N20LTM_SN00173

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FQD12N20LTM_SN00173

Pour Référence Seulement

Référence FQD12N20LTM_SN00173
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FQD12N20LTM_SN00173

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesQFET®
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C9A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1080 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs280mOhm @ 4.5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-252AA
Paquet / casTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

FQD12N20LTM_SN00173 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that FQD12N20LTM_SN00173 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of FQD12N20LTM_SN00173.
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