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FQB8N60CTM_WS

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FQB8N60CTM_WS

Pour Référence Seulement

Référence FQB8N60CTM_WS
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 600V 7.5A
Fiche technique

FQB8N60CTM_WS Fiche technique

paquet TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En stock 7 056 piece(s)
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Spécifications FQB8N60CTM_WS

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SériesQFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C7.5A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1255pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3.13W (Ta), 147W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD2PAK (TO-263AB)
Paquet / casTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQB8N60CTM_WS fiche technique

FQB8N60CTM_WS Packaging

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Sealing
Packing
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FQB8N60CTM_WS FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FQB8N60CTM_WS. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FQB8N60CTM_WS on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FQB8N60CTM_WS products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FQB8N60CTM_WS price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FQB8N60CTM_WS?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Fairchild Semiconductor Corporation

MOSFET N-CH 600V 7.5A

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MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

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