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FQA6N90_F109

FQA6N90_F109

FQA6N90_F109

Pour Référence Seulement

Référence FQA6N90_F109
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
Fiche technique

FQA6N90_F109 Fiche technique

paquet TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
En stock 6 944 piece(s)
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Spécifications FQA6N90_F109

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
SériesQFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)900V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C6.4A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs52nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1880pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)198W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs1.9 Ohm @ 3A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-3PN
Paquet / casTO-3P-3, SC-65-3

FQA6N90_F109 fiche technique

FQA6N90_F109 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

FQA6N90_F109 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQA6N90_F109 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FQA6N90_F109 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FQA6N90_F109?
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MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P

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