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FQA6N80_F109

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FQA6N80_F109

Pour Référence Seulement

Référence FQA6N80_F109
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
Fiche technique

FQA6N80_F109 Fiche technique

paquet TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
En stock 7 200 piece(s)
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Spécifications FQA6N80_F109

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
SériesQFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C6.3A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)185W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs1.95 Ohm @ 3.15A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-3PN
Paquet / casTO-3P-3, SC-65-3

FQA6N80_F109 fiche technique

FQA6N80_F109 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

FQA6N80_F109 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQA6N80_F109 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FQA6N80_F109 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of FQA6N80_F109 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FQA6N80_F109?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P

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Fairchild Semiconductor Corporation

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