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FP25R12KT4B11BOSA1

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Pour Référence Seulement

Référence FP25R12KT4B11BOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 25A 160W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FP25R12KT4B11BOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
SériesEconoPIM™ 2
Type IGBTTrench Field Stop
ConfigurationThree Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)25 A
Puissance - Max160 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 25A
Current - Collector Cutoff (Max)1 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce1.45 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCYes
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

FP25R12KT4B11BOSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

FP25R12KT4B11BOSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FP25R12KT4B11BOSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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