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FP10R12W1T4B11BOMA1

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Pour Référence Seulement

Référence FP10R12W1T4B11BOMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 20A 105W
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 36 piece(s)
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Spécifications FP10R12W1T4B11BOMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
SériesEconoPIM™ 3
Type IGBT-
ConfigurationThree Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)20 A
Puissance - Max105 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.25V @ 15V, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)1 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce600 pF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCYes
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

FP10R12W1T4B11BOMA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

FP10R12W1T4B11BOMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FP10R12W1T4B11BOMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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