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FGA25N120ANTDTU-F109

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FGA25N120ANTDTU-F109

Pour Référence Seulement

Référence FGA25N120ANTDTU-F109
Fabricant onsemi
Description IGBT 1200V 50A 312W TO3P
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FGA25N120ANTDTU-F109

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBTNPT and Trench
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)50 A
Courant - Collecteur Pulsé (Icm)90 A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.65V @ 15V, 50A
Puissance - Max312 W
Changer d'énergie4.1mJ (on), 960µJ (off)
Type d'entréeStandard
Charge de porte200 nC
Td (on / off) à 25 ° C50ns/190ns
Condition de test600V, 25A, 10Ohm, 15V
Temps de récupération inversé (trr)350 ns
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-3P-3, SC-65-3
Package de périphérique fournisseurTO-3P

FGA25N120ANTDTU-F109 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that FGA25N120ANTDTU-F109 is from the original manufacturer or authorized agents?
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