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FGA15N120ANTDTU-F109

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Pour Référence Seulement

Référence FGA15N120ANTDTU-F109
Fabricant onsemi
Description IGBT 1200V 30A 186W TO3P
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FGA15N120ANTDTU-F109

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBTNPT and Trench
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)30 A
Courant - Collecteur Pulsé (Icm)45 A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 15A
Puissance - Max186 W
Changer d'énergie3mJ (on), 600µJ (off)
Type d'entréeStandard
Charge de porte120 nC
Td (on / off) à 25 ° C15ns/160ns
Condition de test600V, 15A, 10Ohm, 15V
Temps de récupération inversé (trr)330 ns
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-3P-3, SC-65-3
Package de périphérique fournisseurTO-3P

FGA15N120ANTDTU-F109 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

FGA15N120ANTDTU-F109 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FGA15N120ANTDTU-F109 is from the original manufacturer or authorized agents?
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