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FF900R12IE4PBOSA1

FF900R12IE4PBOSA1

FF900R12IE4PBOSA1

Pour Référence Seulement

Référence FF900R12IE4PBOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 900A 20MW
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 9 piece(s)
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Spécifications FF900R12IE4PBOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
SériesPrimePACK™2
Type IGBTTrench Field Stop
ConfigurationHalf Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)900 A
Puissance - Max20 mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 900A
Current - Collector Cutoff (Max)5 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce54 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCYes
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

FF900R12IE4PBOSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

FF900R12IE4PBOSA1 FAQ

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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of FF900R12IE4PBOSA1?
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IRF7240TRPBF

MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC

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