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FF650R17IE4VBOSA1

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FF650R17IE4VBOSA1

Pour Référence Seulement

Référence FF650R17IE4VBOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MODULE 1700V 4150W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FF650R17IE4VBOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
SériesPrimePACK™2
Type IGBT-
Configuration2 Independent
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1700 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)-
Puissance - Max4150 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 650A
Current - Collector Cutoff (Max)5 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce54 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCYes
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

FF650R17IE4VBOSA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

FF650R17IE4VBOSA1 FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FF650R17IE4VBOSA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FF650R17IE4VBOSA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FF650R17IE4VBOSA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FF650R17IE4VBOSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FF650R17IE4VBOSA1?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of FF650R17IE4VBOSA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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